磁控溅射是电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子借助于靶表面上形成的正交电磁场，被束缚在靶表面特定区域，增强电离效率，增加离子密度和能量，从而实现高速率溅射。是制备低维度，小尺寸纳米材料器件的必备实验手段，广泛应用于集成电路，光子晶体，低维半导体等领域。

主要用于溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金属薄膜，AlN、SiO2等介质薄膜；

极限真空：7E-8 Torr（30分钟从atm 抽到5E-6 Torr ）；

薄膜均匀性：±5% （4英寸）；

靶源：2个4英寸，4个2英寸。样品兼容4英寸及以下尺寸；

电源：具备RF(600W), DC 和Pulse DC(1KW)；

样品温度：0-500oC；

工艺气体：Ar，O2，N2

研发溅射沉积

微电子（金属，金属氧化物，电介质）

数据存储（磁性薄膜）

微机械与纳米技术

超导材料

约瑟夫森结

生物医学薄膜

光伏

光学薄膜和光子